Шестак Л.И.
ОАО НПП «Инжект»
Саратов, РФ
По результатам проведенных исследований пленок Al2O3 и SiO2 с использованием ионного источника ассистирования "Стрелок" были получены отличные результаты.
Результаты атомно-силовой микроскопии показаны на рисунках:
Без ассистирования: С ассистированием:

Размер кристаллитов в процессе ионного ассистирования существенно уменьшился в размерах. Их высота тоже стала меньше: если раньше это были десятки нанометров, то теперь единицы.
По пробивным напряжениям картина тоже радостная - Al2O3 и раньше имел высокий пробой (80-90 V), а сейчас и цифра хоть немного, но подросла (100-120 V), и однородность улучшилась, а пленка SiO2 без ассистирования была полностью текущая, теперь же утечки в 10 микроампер появляются при напряжении (80-100 V).