Технология ионно-лучевой очистки предназначена для финишной очистки поверхности подложки пучком ускоренных ионов с энергией до 1500 эВ от молекулярных частиц, адсорбированных газов, полимерных фрагментов, паров воды, а также для атомарной активации поверхностных связей подложки непосредственно перед нанесением тонкопленочного покрытия. Применение технологии ионно-лучевой очистки гарантирует существенно более высокую степень адгезии по сравнению с традиционными методами (например, тлеющий разряд или плазменная очистка), что в итоге обеспечивает более длительную и надежную эксплуатацию деталей с покрытиями.

На фирме “Изовак” разработаны ионные источники серии IBCS с различными конфигурациями ионного пучка, позволяющие проводить ионно-лучевую очистку практически любых, в том числе и крупноформатных изделий. Достоинствами такой технологии являются высокая степень равномерности обрабатываемых изделий, возможность обработки под различными углами любых подложек (металлы, полупроводники, диэлектрики, полимеры), высокая скорость очистки.