Ионно-лучевое распыление

Технология ионно-лучевого распыления заключается в бомбардировке мишени заданного состава пучком ионов с энергией до 5000 эВ с последующим осаждением распыленного материала на подложку. При этом стехиометрия формируемого покрытия идентична мишени.

Эта современная технология предназначена для нанесения прецизионных нанослойных покрытий с высокой плотностью и низкой шероховатостью. Пленки, получаемые методом ионно-лучевого распыления, имеют абсолютную величину шероховатости Rpv = 4,0 nm со среднеквадратичным отклонением Rms = 0,19 nm.

Отличительными достоинствами технологии является получение покрытий без эффекта дрейфа во времени при воздействии атмосферы и различных климатических условий, что является одним из важнейших требований к современным оптическим и функциональным покрытиям.

Дополнительными преимуществами технологии ионно-лучевого распыления являются возможность проведения реактивных и нереактивных процессов в одной камере без переналадки (например, из мишени Si можно получать покрытия Si, SiO2, Si3N4), возможность нанесения покрытий на термочувствительные подложки (пластики и т.д.), так как процесс нанесения характеризуется низкими температурами до 900С. А также перенос нанокомпозитных материалов мишени на подложку без изменения их свойств.

Компанией “Изовак" разработаны ионные источники серии IBSS с различными конфигурациями ионного пучка, позволяющие проводить ионно-лучевое распыление мишеней как кольцевой, так и линейной геометрии, а также осуществлять косое напыление.

Вакуумное оборудование с применением данной технологии